K4RAH086VE-BCWM vs PDRQL8KCBF12-00 So sánh
So sánh chi tiết song song của K4RAH086VE-BCWM bằng Samsung Electronics và PDRQL8KCBF12-00 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4RAH086VE-BCWM | PDRQL8KCBF12-00 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Trạng thái kho | In Stock | — |
| Giá đơn vị (USD) | $7,60 | — |
| Kiểu bộ nhớ | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| Tổ chức | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Tốc độ dữ liệu | 5600 Mbps | 7200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Hộp | 82-ball FBGA | FBGA |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Generation | DDR5 | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| Latency CAS | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] | — |
| VDDQ Voltage | [DATA_NEEDED: VDDQ value] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | Auto-refresh and self-refresh |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Trạng thái vòng đời | Mass Production | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Điện áp cung cấp | — | 1.1 V |
| Burst Length | — | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) |
| On-die ECC | — | Yes |
| Giao diện | — | Pseudo-differential DQ |
| Process Technology | — | 10nm-class |
| Lead-Free | — | Yes |