K4RAH086VE-BCWM vs PDRQL8KCBF12-00 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4RAH086VE-BCWM tarafından Samsung Electronics ve PDRQL8KCBF12-00 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4RAH086VE-BCWM | PDRQL8KCBF12-00 |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Stok Durumu | In Stock | — |
| Birim Fiyat (USD) | $7,60 | — |
| Bellek Türü | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| Organizasyon | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Veri Hızı | 5600 Mbps | 7200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Paket | 82-ball FBGA | FBGA |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Generation | DDR5 | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| CAS Gecikme | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] | — |
| VDDQ Voltage | [DATA_NEEDED: VDDQ value] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Mass Production | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Besleme Gerilimi | — | 1.1 V |
| Burst Length | — | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) |
| On-die ECC | — | Yes |
| Arayüz | — | Pseudo-differential DQ |
| Process Technology | — | 10nm-class |
| Lead-Free | — | Yes |