M29W128GL70ZS3E vs M29W128GL70ZA3E مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W128GL70ZS3E بواسطة Micron Technology و M29W128GL70ZA3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29W128GL70ZS3E | M29W128GL70ZA3E |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | NOR Flash | NOR Flash |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| حجم الذاكرة | 128 Mbit (16 MB) | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| جهد التغذية | 2.7 V to 3.6 V (3 V class) | 3V / 3.3V |
| العلبة | 64-FBGA (11x13 mm) | 64-TBGA (10x13 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C (per distributor code data) | -40C to +125C |
| Family | M29W128G (GL variant) | — |
| Bus Width | x16 | — |
| Boot Block Architecture | Bottom boot (GL) | — |
| Program/Erase Supply | Single supply (no separate VPP required) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Density | — | 128 Mbit |
| التنظيم | — | 16M x 8 / 8M x 16 |
| Boot Block Location | — | Bottom boot (GL variant) |
| Bus Width Selection | — | BYTE pin (x8/x16) |
| Packaging | — | Tray |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | [DATA_NEEDED: FBGA Code] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] |