M29W128GL70ZS3E vs M29W128GL70ZA3E השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של M29W128GL70ZS3E מאת Micron Technology ו M29W128GL70ZA3E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W128GL70ZS3E ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | M29W128GL70ZS3E | M29W128GL70ZA3E |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | NOR Flash | NOR Flash |
| ממשק | Parallel | Parallel |
| גודל זיכרון | 128 Mbit (16 MB) | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| מתח אספקה | 2.7 V to 3.6 V (3 V class) | 3V / 3.3V |
| מארז | 64-FBGA (11x13 mm) | 64-TBGA (10x13 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +125C (per distributor code data) | -40C to +125C |
| Family | M29W128G (GL variant) | — |
| Bus Width | x16 | — |
| Boot Block Architecture | Bottom boot (GL) | — |
| Program/Erase Supply | Single supply (no separate VPP required) | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Density | — | 128 Mbit |
| ארגון | — | 16M x 8 / 8M x 16 |
| Boot Block Location | — | Bottom boot (GL variant) |
| Bus Width Selection | — | BYTE pin (x8/x16) |
| Packaging | — | Tray |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | [DATA_NEEDED: FBGA Code] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] |