M29W128GL70ZS3E vs M29W128GL70ZA3E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W128GL70ZS3E द्वारा Micron Technology और M29W128GL70ZA3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W128GL70ZS3E ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29W128GL70ZS3E | M29W128GL70ZA3E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | NOR Flash | NOR Flash |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| मेमोरी आकार | 128 Mbit (16 MB) | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| सप्लाई वोल्टेज | 2.7 V to 3.6 V (3 V class) | 3V / 3.3V |
| पैकेज | 64-FBGA (11x13 mm) | 64-TBGA (10x13 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C (per distributor code data) | -40C to +125C |
| Family | M29W128G (GL variant) | — |
| Bus Width | x16 | — |
| Boot Block Architecture | Bottom boot (GL) | — |
| Program/Erase Supply | Single supply (no separate VPP required) | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Density | — | 128 Mbit |
| संगठन | — | 16M x 8 / 8M x 16 |
| Boot Block Location | — | Bottom boot (GL variant) |
| Bus Width Selection | — | BYTE pin (x8/x16) |
| Packaging | — | Tray |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | [DATA_NEEDED: FBGA Code] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] |