M29W128GL70ZS3E vs M29W128GL70ZA3E Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W128GL70ZS3E tarafından Micron Technology ve M29W128GL70ZA3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Micron Technology
M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W128GL70ZS3E ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | M29W128GL70ZS3E | M29W128GL70ZA3E |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | NOR Flash | NOR Flash |
| Arayüz | Parallel | Parallel |
| Bellek Boyutu | 128 Mbit (16 MB) | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Besleme Gerilimi | 2.7 V to 3.6 V (3 V class) | 3V / 3.3V |
| Paket | 64-FBGA (11x13 mm) | 64-TBGA (10x13 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -40C to +125C (per distributor code data) | -40C to +125C |
| Family | M29W128G (GL variant) | — |
| Bus Width | x16 | — |
| Boot Block Architecture | Bottom boot (GL) | — |
| Program/Erase Supply | Single supply (no separate VPP required) | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Density | — | 128 Mbit |
| Organizasyon | — | 16M x 8 / 8M x 16 |
| Boot Block Location | — | Bottom boot (GL variant) |
| Bus Width Selection | — | BYTE pin (x8/x16) |
| Packaging | — | Tray |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | [DATA_NEEDED: FBGA Code] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] |