M29W128GL70ZS3E vs M29W128GL70ZA3E مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار M29W128GL70ZS3E توسط Micron Technology و M29W128GL70ZA3E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W128GL70ZS3E ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | M29W128GL70ZS3E | M29W128GL70ZA3E |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | NOR Flash | NOR Flash |
| رابط | Parallel | Parallel |
| اندازه حافظه | 128 Mbit (16 MB) | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| ولتاژ تغذیه | 2.7 V to 3.6 V (3 V class) | 3V / 3.3V |
| بسته‌بندی | 64-FBGA (11x13 mm) | 64-TBGA (10x13 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | -40C to +125C (per distributor code data) | -40C to +125C |
| Family | M29W128G (GL variant) | — |
| Bus Width | x16 | — |
| Boot Block Architecture | Bottom boot (GL) | — |
| Program/Erase Supply | Single supply (no separate VPP required) | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Density | — | 128 Mbit |
| سازمان | — | 16M x 8 / 8M x 16 |
| Boot Block Location | — | Bottom boot (GL variant) |
| Bus Width Selection | — | BYTE pin (x8/x16) |
| Packaging | — | Tray |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | [DATA_NEEDED: FBGA Code] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] |