M29W400FB55N3F vs M29W400FB55N3E مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W400FB55N3F بواسطة Micron Technology و M29W400FB55N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology
M29W400FB55N3E ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | M29W400FB55N3F | M29W400FB55N3E |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | EEPROM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | NOR Flash | NOR Flash (parallel) |
| حجم الذاكرة | 4 Mbit | — |
| التنظيم | 512K x8 / 256K x16 | 512K x 8 bit / 256K x 16 bit |
| الواجهة | Parallel (asynchronous) | Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Program/Erase Supply | Single 2.7 V to 3.6 V | — |
| Byte/Word Select | BYTE# pin | — |
| Block Architecture | Boot block with hardware sector protection | 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) |
| Program Suspend/Erase Suspend | Supported | — |
| العلبة | 48-pin TSOP I (12 x 20 mm) | 48-TSOP I, 12 x 20 mm |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | Tray |
| Lead-Free / RoHS | Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant) | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention years] | — |
| Density | — | 4 Mbit (4194 kbits) |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word typical |
| Boot Block Hardware Protection | — | Yes |
| Pins | — | 48 |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Speed Grades in Family | — | 55 ns, 70 ns |