M29W400FB55N3F vs M29W400FB55N3E مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29W400FB55N3F توسط Micron Technology و M29W400FB55N3E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29W400FB55N3F M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F ✓ فعال
Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29W400FB55N3F M29W400FB55N3E
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs EEPROM
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه NOR Flash NOR Flash (parallel)
اندازه حافظه 4 Mbit —
سازمان 512K x8 / 256K x16 512K x 8 bit / 256K x 16 bit
رابط Parallel (asynchronous) Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable)
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Program/Erase Supply Single 2.7 V to 3.6 V —
Byte/Word Select BYTE# pin —
Block Architecture Boot block with hardware sector protection 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB)
Program Suspend/Erase Suspend Supported —
بسته‌بندی 48-pin TSOP I (12 x 20 mm) 48-TSOP I, 12 x 20 mm
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tray
Lead-Free / RoHS Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant) —
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
Density — 4 Mbit (4194 kbits)
Programming Time — 10 us per byte/word typical
Boot Block Hardware Protection — Yes
Pins — 48
وضعیت RoHS — Compliant
Speed Grades in Family — 55 ns, 70 ns

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت