M29W400FB55N3F vs M29W400FB55N3E موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29W400FB55N3F بذریعہ Micron Technology اور M29W400FB55N3E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M29W400FB55N3F M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F ✓ فعال
Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M29W400FB55N3F M29W400FB55N3E
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ Memory ICs EEPROM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ NOR Flash NOR Flash (parallel)
میموری سائز 4 Mbit —
تنظیم 512K x8 / 256K x16 512K x 8 bit / 256K x 16 bit
انٹرفیس Parallel (asynchronous) Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable)
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Program/Erase Supply Single 2.7 V to 3.6 V —
Byte/Word Select BYTE# pin —
Block Architecture Boot block with hardware sector protection 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB)
Program Suspend/Erase Suspend Supported —
پیکیج 48-pin TSOP I (12 x 20 mm) 48-TSOP I, 12 x 20 mm
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tray
Lead-Free / RoHS Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant) —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
Density — 4 Mbit (4194 kbits)
Programming Time — 10 us per byte/word typical
Boot Block Hardware Protection — Yes
Pins — 48
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Speed Grades in Family — 55 ns, 70 ns

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں