M29W400FB55N3F vs M29W400FB55N3E Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W400FB55N3F tarafından Micron Technology ve M29W400FB55N3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W400FB55N3F M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F ✓ Aktif
Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W400FB55N3F M29W400FB55N3E
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs EEPROM
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash NOR Flash (parallel)
Bellek Boyutu 4 Mbit —
Organizasyon 512K x8 / 256K x16 512K x 8 bit / 256K x 16 bit
Arayüz Parallel (asynchronous) Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable)
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Program/Erase Supply Single 2.7 V to 3.6 V —
Byte/Word Select BYTE# pin —
Block Architecture Boot block with hardware sector protection 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB)
Program Suspend/Erase Suspend Supported —
Paket 48-pin TSOP I (12 x 20 mm) 48-TSOP I, 12 x 20 mm
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tray
Lead-Free / RoHS Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant) —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
Density — 4 Mbit (4194 kbits)
Programming Time — 10 us per byte/word typical
Boot Block Hardware Protection — Yes
Pins — 48
RoHS Durumu — Compliant
Speed Grades in Family — 55 ns, 70 ns

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin