M29W400FB55N3F vs M29W400FB55N3E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W400FB55N3F द्वारा Micron Technology और M29W400FB55N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology
M29W400FB55N3E ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29W400FB55N3F | M29W400FB55N3E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | EEPROM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | NOR Flash | NOR Flash (parallel) |
| मेमोरी आकार | 4 Mbit | — |
| संगठन | 512K x8 / 256K x16 | 512K x 8 bit / 256K x 16 bit |
| इंटरफ़ेस | Parallel (asynchronous) | Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Program/Erase Supply | Single 2.7 V to 3.6 V | — |
| Byte/Word Select | BYTE# pin | — |
| Block Architecture | Boot block with hardware sector protection | 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) |
| Program Suspend/Erase Suspend | Supported | — |
| पैकेज | 48-pin TSOP I (12 x 20 mm) | 48-TSOP I, 12 x 20 mm |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | Tray |
| Lead-Free / RoHS | Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention years] | — |
| Density | — | 4 Mbit (4194 kbits) |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word typical |
| Boot Block Hardware Protection | — | Yes |
| Pins | — | 48 |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Speed Grades in Family | — | 55 ns, 70 ns |