M29W400FB55N3F vs M29W400FB55N3E তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29W400FB55N3F নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29W400FB55N3E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
M29W400FB55N3F M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F ✓ সক্রিয়
Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার M29W400FB55N3F M29W400FB55N3E
ব্র্যান্ড Micron Technology Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs EEPROM
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ NOR Flash NOR Flash (parallel)
মেমরি সাইজ 4 Mbit —
সংগঠন 512K x8 / 256K x16 512K x 8 bit / 256K x 16 bit
ইন্টারফেস Parallel (asynchronous) Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable)
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Program/Erase Supply Single 2.7 V to 3.6 V —
Byte/Word Select BYTE# pin —
Block Architecture Boot block with hardware sector protection 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB)
Program Suspend/Erase Suspend Supported —
প্যাকেজ 48-pin TSOP I (12 x 20 mm) 48-TSOP I, 12 x 20 mm
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tray
Lead-Free / RoHS Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant) —
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
Density — 4 Mbit (4194 kbits)
Programming Time — 10 us per byte/word typical
Boot Block Hardware Protection — Yes
Pins — 48
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant
Speed Grades in Family — 55 ns, 70 ns

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট