M29W800FB70N3E vs M29F800FB55N3E2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W800FB70N3E بواسطة Micron Technology و M29F800FB55N3E2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29W800FB70N3E | M29F800FB55N3E2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | EEPROM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | NOR Flash | NOR Flash, SLC, Parallel |
| Density | 8 Mbit (8388608 bits) | — |
| التنظيم | 512K x 16 / 1M x 8 | Bottom boot (B suffix) |
| عرض ناقل البيانات | x8/x16 (BYTE# selectable) | 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable) |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | up to 3.6 V for program, erase and read | — |
| Programming Time | 10 us per byte/word (typical) | — |
| Memory Blocks | 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) | — |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix) |
| العلبة | 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I | 48-pin TSOP Type I (N suffix) |
| عدد الأطراف | 48 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (SMD/SMT) |
| حالة RoHS | RoHS compliant (plastic TSOP-48) | Compliant (E suffix) |
| Product Longevity Program | No | — |
| FBGA Code | N/A | — |
| Chipset Validation | N/A | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16) |
| Supply Voltage Min | — | 4.5 V |
| Supply Voltage Max | — | 5.5 V |
| Packing | — | Tray (blank suffix) |
| Programming Operations | — | READ, ERASE, PROGRAM via command set |
| Write Protection | — | Block protection with lockable boot block |
| Status Output | — | RB# (Ready/Busy) |