M29W800FB70N3E vs M29F800FB55N3E2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29W800FB70N3E מאת Micron Technology ו M29F800FB55N3E2 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ פעיל
Micron Technology
M29F800FB55N3E2 M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29W800FB70N3E M29F800FB55N3E2
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Memory ICs EEPROM
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון NOR Flash NOR Flash, SLC, Parallel
Density 8 Mbit (8388608 bits) —
ארגון 512K x 16 / 1M x 8 Bottom boot (B suffix)
רוחב אפיק נתונים x8/x16 (BYTE# selectable) 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable)
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase and read —
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
Memory Blocks 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) —
ממשק Parallel Parallel
טמפרטורת פעולה -40C to +125C Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix)
מארז 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I 48-pin TSOP Type I (N suffix)
מספר פינים 48 —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
סטטוס RoHS RoHS compliant (plastic TSOP-48) Compliant (E suffix)
Product Longevity Program No —
FBGA Code N/A —
Chipset Validation N/A —
גודל זיכרון — 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16)
Supply Voltage Min — 4.5 V
Supply Voltage Max — 5.5 V
Packing — Tray (blank suffix)
Programming Operations — READ, ERASE, PROGRAM via command set
Write Protection — Block protection with lockable boot block
Status Output — RB# (Ready/Busy)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר