M29W800FB70N3E vs M29F800FB55N3E2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W800FB70N3E tarafından Micron Technology ve M29F800FB55N3E2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ Aktif
Micron Technology
M29F800FB55N3E2 M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W800FB70N3E M29F800FB55N3E2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs EEPROM
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash NOR Flash, SLC, Parallel
Density 8 Mbit (8388608 bits) —
Organizasyon 512K x 16 / 1M x 8 Bottom boot (B suffix)
Veri Bus Genişliği x8/x16 (BYTE# selectable) 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable)
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase and read —
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
Memory Blocks 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) —
Arayüz Parallel Parallel
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix)
Paket 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I 48-pin TSOP Type I (N suffix)
Pin Sayısı 48 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
RoHS Durumu RoHS compliant (plastic TSOP-48) Compliant (E suffix)
Product Longevity Program No —
FBGA Code N/A —
Chipset Validation N/A —
Bellek Boyutu — 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16)
Supply Voltage Min — 4.5 V
Supply Voltage Max — 5.5 V
Packing — Tray (blank suffix)
Programming Operations — READ, ERASE, PROGRAM via command set
Write Protection — Block protection with lockable boot block
Status Output — RB# (Ready/Busy)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin