M29W800FB70N3E vs M29F800FB55N3E2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W800FB70N3E द्वारा Micron Technology और M29F800FB55N3E2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ सक्रिय
Micron Technology
M29F800FB55N3E2 M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29W800FB70N3E M29F800FB55N3E2
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs EEPROM
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार NOR Flash NOR Flash, SLC, Parallel
Density 8 Mbit (8388608 bits) —
संगठन 512K x 16 / 1M x 8 Bottom boot (B suffix)
डेटा बस चौड़ाई x8/x16 (BYTE# selectable) 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable)
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase and read —
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
Memory Blocks 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) —
इंटरफ़ेस Parallel Parallel
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix)
पैकेज 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I 48-pin TSOP Type I (N suffix)
पिन काउंट 48 —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
RoHS स्थिति RoHS compliant (plastic TSOP-48) Compliant (E suffix)
Product Longevity Program No —
FBGA Code N/A —
Chipset Validation N/A —
मेमोरी आकार — 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16)
Supply Voltage Min — 4.5 V
Supply Voltage Max — 5.5 V
Packing — Tray (blank suffix)
Programming Operations — READ, ERASE, PROGRAM via command set
Write Protection — Block protection with lockable boot block
Status Output — RB# (Ready/Busy)

डेटाशीट और संसाधन

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