M29W800FB70N3E vs M29F800FB55N3E2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29W800FB70N3E بذریعہ Micron Technology اور M29F800FB55N3E2 بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ فعال
Micron Technology
M29F800FB55N3E2 M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M29W800FB70N3E M29F800FB55N3E2
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ Memory ICs EEPROM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ NOR Flash NOR Flash, SLC, Parallel
Density 8 Mbit (8388608 bits) —
تنظیم 512K x 16 / 1M x 8 Bottom boot (B suffix)
ڈیٹا بس چوڑائی x8/x16 (BYTE# selectable) 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable)
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase and read —
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
Memory Blocks 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) —
انٹرفیس Parallel Parallel
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +125C Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix)
پیکیج 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I 48-pin TSOP Type I (N suffix)
پن کی تعداد 48 —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
RoHS اسٹیٹس RoHS compliant (plastic TSOP-48) Compliant (E suffix)
Product Longevity Program No —
FBGA Code N/A —
Chipset Validation N/A —
میموری سائز — 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16)
Supply Voltage Min — 4.5 V
Supply Voltage Max — 5.5 V
Packing — Tray (blank suffix)
Programming Operations — READ, ERASE, PROGRAM via command set
Write Protection — Block protection with lockable boot block
Status Output — RB# (Ready/Busy)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں