M29W800FB70N3E vs M29F800FB55N3E2 So sánh

So sánh chi tiết song song của M29W800FB70N3E bằng Micron Technology và M29F800FB55N3E2 bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ Hoạt động
Micron Technology
M29F800FB55N3E2 M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số M29W800FB70N3E M29F800FB55N3E2
Thương hiệu Micron Technology Micron Technology
Danh mục Memory ICs EEPROM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ NOR Flash NOR Flash, SLC, Parallel
Density 8 Mbit (8388608 bits) —
Tổ chức 512K x 16 / 1M x 8 Bottom boot (B suffix)
Bề rộng đường dữ liệu x8/x16 (BYTE# selectable) 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable)
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase and read —
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
Memory Blocks 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) —
Giao diện Parallel Parallel
Nhiệt độ hoạt động -40C to +125C Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix)
Hộp 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I 48-pin TSOP Type I (N suffix)
Số chân 48 —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
Trạng thái RoHS RoHS compliant (plastic TSOP-48) Compliant (E suffix)
Product Longevity Program No —
FBGA Code N/A —
Chipset Validation N/A —
Kích thước bộ nhớ — 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16)
Supply Voltage Min — 4.5 V
Supply Voltage Max — 5.5 V
Packing — Tray (blank suffix)
Programming Operations — READ, ERASE, PROGRAM via command set
Write Protection — Block protection with lockable boot block
Status Output — RB# (Ready/Busy)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá