NDL46PFG-8KIT vs K4B4G1646E-BYK0 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NDL46PFG-8KIT بواسطة Insignis Technology Corporation و K4B4G1646E-BYK0 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis
NDL46PFG-8KIT ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | NDL46PFG-8KIT | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Insignis Technology Corporation | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4Gbit (256M x 16) | — |
| عرض ناقل البيانات | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| معدل البيانات | 1600 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| زمن الوصول CAS | 20 ns | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| جهد التغذية | 1.35V (1.5V compatible) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| درجة حرارة التشغيل | 95°C (max) | 0°C to +95°C (TC) |
| العلبة | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| الواجهة | Parallel | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (dynamic ODT) |
| Refresh Mode | Auto-refresh and self-refresh | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| التنظيم | — | 256M x 16 |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |