NDL46PFG-8KIT vs K4B4G1646E-BYK0 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma NDL46PFG-8KIT tarafından Insignis Technology Corporation ve K4B4G1646E-BYK0 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre NDL46PFG-8KIT K4B4G1646E-BYK0
Marka Insignis Technology Corporation Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Bellek Boyutu 4Gbit (256M x 16) —
Veri Bus Genişliği 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Veri Hızı 1600 Mbps DDR3-1600 (800 MHz)
CAS Gecikme 20 ns 11 (CL-tRCD-tRP)
Besleme Gerilimi 1.35V (1.5V compatible) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
İşletim Sıcaklığı 95°C (max) 0°C to +95°C (TC)
Paket 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch)
Montaj Türü Surface Mount —
Arayüz Parallel —
Access Time 20 ns —
Burst Length 8 and 4 8 (fixed), 4 (burst chop)
On-Die Termination Yes Yes (dynamic ODT)
Refresh Mode Auto-refresh and self-refresh —
RoHS Durumu Compliant —
Density — 4 Gb
Organizasyon — 256M x 16
ZQ Calibration — Yes
Auto Precharge — Yes
Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
RoHS — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin