NDL46PFG-8KIT vs K4B4G1646E-BYK0 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci NDL46PFG-8KIT disebabkan oleh Insignis Technology Corporation dan K4B4G1646E-BYK0 disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr NDL46PFG-8KIT K4B4G1646E-BYK0
Merek Insignis Technology Corporation Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Jenis Ingatan SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Saiz Ingatan 4Gbit (256M x 16) —
Lebar Bus Data 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Kadar Data 1600 Mbps DDR3-1600 (800 MHz)
Latensi CAS 20 ns 11 (CL-tRCD-tRP)
Tegangan Pemberi Arus 1.35V (1.5V compatible) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Suhu Operasi 95°C (max) 0°C to +95°C (TC)
Kemasan 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch)
Jenis Pemasangan Surface Mount —
Antaramuka Parallel —
Access Time 20 ns —
Burst Length 8 and 4 8 (fixed), 4 (burst chop)
On-Die Termination Yes Yes (dynamic ODT)
Refresh Mode Auto-refresh and self-refresh —
Status RoHS Compliant —
Density — 4 Gb
Organisasi — 256M x 16
ZQ Calibration — Yes
Auto Precharge — Yes
Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
RoHS — Compliant

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga