NDL46PFG-8KIT vs K4B4G1646E-BYK0 比較
詳細並排比較 NDL46PFG-8KIT 由 Insignis Technology Corporation 與 K4B4G1646E-BYK0 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis
NDL46PFG-8KIT ✓ 啟用中規格比較
| 參數 | NDL46PFG-8KIT | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| 品牌 | Insignis Technology Corporation | Samsung Electronics |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| 記憶體容量 | 4Gbit (256M x 16) | — |
| 資料匯流排寬度 | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| 資料速率 | 1600 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| CAS 延遲 | 20 ns | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| 供應電壓 | 1.35V (1.5V compatible) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| 工作溫度 | 95°C (max) | 0°C to +95°C (TC) |
| 封裝 | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| 安裝類型 | Surface Mount | — |
| 介面 | Parallel | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (dynamic ODT) |
| Refresh Mode | Auto-refresh and self-refresh | — |
| RoHS 狀態 | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| 組織 | — | 256M x 16 |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |