NDL46PFG-8KIT vs K4B4G1646E-BYK0 Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil NDL46PFG-8KIT dari Insignis Technology Corporation dan K4B4G1646E-BYK0 dari Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum NDL46PFG-8KIT K4B4G1646E-BYK0
Merek Insignis Technology Corporation Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Tipe Memori SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Ukuran Memori 4Gbit (256M x 16) —
Lebar Bus Data 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Laju Data 1600 Mbps DDR3-1600 (800 MHz)
Latensi CAS 20 ns 11 (CL-tRCD-tRP)
Tegangan Pemuat 1.35V (1.5V compatible) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Suhu Kerja 95°C (max) 0°C to +95°C (TC)
Paket 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch)
Tipe Mounting Surface Mount —
Antarmuka Parallel —
Access Time 20 ns —
Burst Length 8 and 4 8 (fixed), 4 (burst chop)
On-Die Termination Yes Yes (dynamic ODT)
Refresh Mode Auto-refresh and self-refresh —
Status RoHS Compliant —
Density — 4 Gb
Organisasi — 256M x 16
ZQ Calibration — Yes
Auto Precharge — Yes
Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
RoHS — Compliant

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon