NDL46PFG-8KIT vs K4B4G1646E-BYK0 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של NDL46PFG-8KIT מאת Insignis Technology Corporation ו K4B4G1646E-BYK0 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT ✓ פעיל
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר NDL46PFG-8KIT K4B4G1646E-BYK0
מותג Insignis Technology Corporation Samsung Electronics
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
גודל זיכרון 4Gbit (256M x 16) —
רוחב אפיק נתונים 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
קצב נתונים 1600 Mbps DDR3-1600 (800 MHz)
השהיית CAS 20 ns 11 (CL-tRCD-tRP)
מתח אספקה 1.35V (1.5V compatible) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
טמפרטורת פעולה 95°C (max) 0°C to +95°C (TC)
מארז 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch)
סוג הרכבה Surface Mount —
ממשק Parallel —
Access Time 20 ns —
Burst Length 8 and 4 8 (fixed), 4 (burst chop)
On-Die Termination Yes Yes (dynamic ODT)
Refresh Mode Auto-refresh and self-refresh —
סטטוס RoHS Compliant —
Density — 4 Gb
ארגון — 256M x 16
ZQ Calibration — Yes
Auto Precharge — Yes
Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר