NDL46PFG-8KIT vs K4B4G1646E-BYK0 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NDL46PFG-8KIT द्वारा Insignis Technology Corporation और K4B4G1646E-BYK0 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis
NDL46PFG-8KIT ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | NDL46PFG-8KIT | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Insignis Technology Corporation | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4Gbit (256M x 16) | — |
| डेटा बस चौड़ाई | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| डेटा दर | 1600 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| CAS लेटेंसी | 20 ns | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V (1.5V compatible) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 95°C (max) | 0°C to +95°C (TC) |
| पैकेज | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (dynamic ODT) |
| Refresh Mode | Auto-refresh and self-refresh | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| संगठन | — | 256M x 16 |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |