H5AN8G6NAFR-UHC vs K4A8G085WC-BCTD তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5AN8G6NAFR-UHC নির্দিষ্ট SK hynix ও K4A8G085WC-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ শেষ কিনার সময়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | H5AN8G6NAFR-UHC | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | SK hynix | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | শেষবার কেনার সুযোগ |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM (CMOS) | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| সংগঠন | 512M x 16 | 1G x 8 |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | — |
| ডেটা রেট | 2400 MT/s | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Clock Architecture | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous | — |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +85C | 0C to +95C |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge function | — |
| Reset | Asynchronous reset function | — |
| Data Mask | DM function supported | Yes |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration function | — |
| Error Checking | CRC function | — |
| Write Leveling | Write leveling function supported | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ইন্টারফেস টাইপ | — | Synchronous, parallel |