H5AN8G6NAFR-UHC vs K4A8G085WC-BCTD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G6NAFR-UHC بذریعہ SK hynix اور K4A8G085WC-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ آخری بار خریداریخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5AN8G6NAFR-UHC | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | آخری بار خریداری |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (CMOS) | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| تنظیم | 512M x 16 | 1G x 8 |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 MT/s | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Clock Architecture | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | 0C to +95C |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge function | — |
| Reset | Asynchronous reset function | — |
| Data Mask | DM function supported | Yes |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration function | — |
| Error Checking | CRC function | — |
| Write Leveling | Write leveling function supported | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| انٹرفیس ٹائپ | — | Synchronous, parallel |