H5AN8G6NAFR-UHC vs K4A8G085WC-BCTD השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G6NAFR-UHC מאת SK hynix ו K4A8G085WC-BCTD מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ רכישה אחרונההשוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G6NAFR-UHC | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | רכישה אחרונה |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM (CMOS) | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| ארגון | 512M x 16 | 1G x 8 |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| קצב נתונים | 2400 MT/s | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Clock Architecture | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous | — |
| מארז | 96-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C | 0C to +95C |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge function | — |
| Reset | Asynchronous reset function | — |
| Data Mask | DM function supported | Yes |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration function | — |
| Error Checking | CRC function | — |
| Write Leveling | Write leveling function supported | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| סוג ממשק | — | Synchronous, parallel |