IPN95R1K2P7ATMA1 vs STF13N95K3 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPN95R1K2P7ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও STF13N95K3 নির্দিষ্ট STMicroelectronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN95R1K2P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN95R1K2P7ATMA1 ✓ সক্রিয়
STMicroelectronics
STF13N95K3 STF13N95K3 - 13A, 950V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STF13N95K3 - 13A, 950V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STF13N95K3 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPN95R1K2P7ATMA1 STF13N95K3
ব্র্যান্ড Infineon STMicroelectronics
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS P7 (Super Junction) —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 950 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 6 A —
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V 1200 mOhm (1.2 Ohm) —
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) 10 V —
Power Dissipation (T_C) 7 W —
প্যাকেজ SOT-223-3 (PG-SOT223) TO-220FP
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Through Hole
পিন সংখ্যা 3 (2 + Tab) —
Series CoolMOS P7 —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C -55°C to +150°C
Packaging Tape & Reel —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Part Status Active —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage (BVdss) — 950 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 8.2 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 39 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.55 ohm (typical)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V to 5 V
Gate Charge (Qg) — 45 nC
Input Capacitance (Ciss) — 1900 pF
Output Capacitance (Coss) — 120 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 10 pF
Avalanche Energy (EAS) — 400 mJ
হ্যালোজেন মুক্ত — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট