IPN95R1K2P7ATMA1 vs STF13N95K3 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPN95R1K2P7ATMA1 מאת Infineon ו STF13N95K3 מאת STMicroelectronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

STMicroelectronics
STF13N95K3 STF13N95K3 - 13A, 950V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STF13N95K3 - 13A, 950V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STF13N95K3 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPN95R1K2P7ATMA1 STF13N95K3
מותג Infineon STMicroelectronics
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS P7 (Super Junction) —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 950 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 6 A —
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V 1200 mOhm (1.2 Ohm) —
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) 10 V —
Power Dissipation (T_C) 7 W —
מארז SOT-223-3 (PG-SOT223) TO-220FP
סוג הרכבה Surface Mount Through Hole
מספר פינים 3 (2 + Tab) —
Series CoolMOS P7 —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +150C -55°C to +150°C
Packaging Tape & Reel —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Part Status Active —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage (BVdss) — 950 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 8.2 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 39 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.55 ohm (typical)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V to 5 V
Gate Charge (Qg) — 45 nC
Input Capacitance (Ciss) — 1900 pF
Output Capacitance (Coss) — 120 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 10 pF
Avalanche Energy (EAS) — 400 mJ
נטול הלוגנים — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר