IPN95R1K2P7ATMA1 vs STF13N95K3 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPN95R1K2P7ATMA1 tarafından Infineon ve STF13N95K3 tarafından STMicroelectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPN95R1K2P7ATMA1 STF13N95K3
Marka Infineon STMicroelectronics
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS P7 (Super Junction) —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 950 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 6 A —
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V 1200 mOhm (1.2 Ohm) —
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) 10 V —
Power Dissipation (T_C) 7 W —
Paket SOT-223-3 (PG-SOT223) TO-220FP
Montaj Türü Surface Mount Through Hole
Pin Sayısı 3 (2 + Tab) —
Series CoolMOS P7 —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C -55°C to +150°C
Packaging Tape & Reel —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Part Status Active —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage (BVdss) — 950 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 8.2 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 39 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.55 ohm (typical)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V to 5 V
Gate Charge (Qg) — 45 nC
Input Capacitance (Ciss) — 1900 pF
Output Capacitance (Coss) — 120 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 10 pF
Avalanche Energy (EAS) — 400 mJ
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin