IPN95R1K2P7ATMA1 vs STF13N95K3 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPN95R1K2P7ATMA1 bằng Infineon và STF13N95K3 bằng STMicroelectronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN95R1K2P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon

IPN95R1K2P7ATMA1 ✓ Hoạt động
STMicroelectronics
STF13N95K3 STF13N95K3 - 13A, 950V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STF13N95K3 - 13A, 950V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STF13N95K3 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPN95R1K2P7ATMA1 STF13N95K3
Thương hiệu Infineon STMicroelectronics
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS P7 (Super Junction) —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 950 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 6 A —
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V 1200 mOhm (1.2 Ohm) —
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) 10 V —
Power Dissipation (T_C) 7 W —
Hộp SOT-223-3 (PG-SOT223) TO-220FP
Kiểu lắp đặt Surface Mount Through Hole
Số chân 3 (2 + Tab) —
Series CoolMOS P7 —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C -55°C to +150°C
Packaging Tape & Reel —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Part Status Active —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage (BVdss) — 950 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 8.2 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 39 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.55 ohm (typical)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V to 5 V
Gate Charge (Qg) — 45 nC
Input Capacitance (Ciss) — 1900 pF
Output Capacitance (Coss) — 120 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 10 pF
Avalanche Energy (EAS) — 400 mJ
Đông trùng haogen — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá