IPN95R1K2P7ATMA1 vs STF13N95K3 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPN95R1K2P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور STF13N95K3 بذریعہ STMicroelectronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

STMicroelectronics
STF13N95K3 STF13N95K3 - 13A, 950V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STF13N95K3 - 13A, 950V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STF13N95K3 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPN95R1K2P7ATMA1 STF13N95K3
برانڈ Infineon STMicroelectronics
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS P7 (Super Junction) —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 950 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 6 A —
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V 1200 mOhm (1.2 Ohm) —
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) 10 V —
Power Dissipation (T_C) 7 W —
پیکیج SOT-223-3 (PG-SOT223) TO-220FP
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
پن کی تعداد 3 (2 + Tab) —
Series CoolMOS P7 —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55°C to +150°C
Packaging Tape & Reel —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Part Status Active —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage (BVdss) — 950 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at 100°C — 8.2 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 39 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.55 ohm (typical)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V to 5 V
Gate Charge (Qg) — 45 nC
Input Capacitance (Ciss) — 1900 pF
Output Capacitance (Coss) — 120 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 10 pF
Avalanche Energy (EAS) — 400 mJ
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں