IPN95R1K2P7ATMA1 vs STF13N95K3 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPN95R1K2P7ATMA1 द्वारा Infineon और STF13N95K3 द्वारा STMicroelectronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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STF13N95K3 - 13A, 950V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics
STF13N95K3 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPN95R1K2P7ATMA1 | STF13N95K3 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | STMicroelectronics |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | CoolMOS P7 (Super Junction) | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 950 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 6 A | — |
| Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V | 1200 mOhm (1.2 Ohm) | — |
| Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) | 10 V | — |
| Power Dissipation (T_C) | 7 W | — |
| पैकेज | SOT-223-3 (PG-SOT223) | TO-220FP |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Through Hole |
| पिन काउंट | 3 (2 + Tab) | — |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C | -55°C to +150°C |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Part Status | Active | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Breakdown Voltage (BVdss) | — | 950 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | — | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at 100°C | — | 8.2 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 39 A |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 0.55 ohm (typical) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3 V to 5 V |
| Gate Charge (Qg) | — | 45 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1900 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 120 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 10 pF |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 400 mJ |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |