IRF9Z34NSTRRPBF vs IRF9Z34NPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF9Z34NSTRRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF9Z34NPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET, 19A, TO-220 | Infineon

IRF9Z34NPBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET, 19A, TO-220 | Infineon

IRF9Z34NPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস Obsolete সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF9Z34NSTRRPBF —
ট্রানজিস্টর টাইপ P-Channel MOSFET (HexFET) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -19 A -19 A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) -2 V to -4 V [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max]
Power Dissipation (Pd) 68 W (Tc) —
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 2.2 K/W (max) —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
প্যাকেজ / কেস D2PAK (TO-263-3), 3-pin (2 + Tab) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Through Hole
Operating Frequency Optimized for switching below 100 kHz —
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (Pb-free suffix PBF) Compliant
Packaging Tape & Reel (STR suffix) —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Pulsed Drain Current (Idm) — -72 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V — 100 milliohm (typical)
Gate Charge (Qg) — 23.3 nC (per Mouser listing)
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55C to +175C (junction)
প্যাকেজ — TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Pinout (G-D-S) — Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source
Technology — HEXFET (5th generation)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (PBF suffix)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট