IRF9Z34NSTRRPBF vs IRF9Z34NPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF9Z34NSTRRPBF tarafından Infineon ve IRF9Z34NPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Obsolete Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF9Z34NSTRRPBF —
Transistor Türü P-Channel MOSFET (HexFET) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -19 A -19 A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) -2 V to -4 V [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max]
Power Dissipation (Pd) 68 W (Tc) —
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 2.2 K/W (max) —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Paket / Kas D2PAK (TO-263-3), 3-pin (2 + Tab) —
Montaj Türü Surface Mount Through Hole
Operating Frequency Optimized for switching below 100 kHz —
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
RoHS Durumu Compliant (Pb-free suffix PBF) Compliant
Packaging Tape & Reel (STR suffix) —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Pulsed Drain Current (Idm) — -72 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V — 100 milliohm (typical)
Gate Charge (Qg) — 23.3 nC (per Mouser listing)
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (junction)
Paket — TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Pinout (G-D-S) — Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source
Technology — HEXFET (5th generation)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (PBF suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin