IRF9Z34NSTRRPBF vs IRF9Z34NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF9Z34NSTRRPBF بذریعہ Infineon اور IRF9Z34NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت Obsolete فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF9Z34NSTRRPBF —
ٹرانزسٹر کی قسم P-Channel MOSFET (HexFET) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -19 A -19 A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) -2 V to -4 V [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max]
Power Dissipation (Pd) 68 W (Tc) —
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 2.2 K/W (max) —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
پیکیج / کیس D2PAK (TO-263-3), 3-pin (2 + Tab) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
Operating Frequency Optimized for switching below 100 kHz —
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free suffix PBF) Compliant
Packaging Tape & Reel (STR suffix) —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Pulsed Drain Current (Idm) — -72 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V — 100 milliohm (typical)
Gate Charge (Qg) — 23.3 nC (per Mouser listing)
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C (junction)
پیکیج — TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Pinout (G-D-S) — Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source
Technology — HEXFET (5th generation)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (PBF suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں