IRF9Z34NSTRRPBF vs IRF9Z34NPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF9Z34NSTRRPBF द्वारा Infineon और IRF9Z34NPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET, 19A, TO-220 | Infineon

IRF9Z34NPBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET, 19A, TO-220 | Infineon

IRF9Z34NPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति Obsolete सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF9Z34NSTRRPBF —
ट्रांज़िस्टर प्रकार P-Channel MOSFET (HexFET) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -19 A -19 A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) -2 V to -4 V [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max]
Power Dissipation (Pd) 68 W (Tc) —
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 2.2 K/W (max) —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
पैकेज / केस D2PAK (TO-263-3), 3-pin (2 + Tab) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Through Hole
Operating Frequency Optimized for switching below 100 kHz —
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
RoHS स्थिति Compliant (Pb-free suffix PBF) Compliant
Packaging Tape & Reel (STR suffix) —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Pulsed Drain Current (Idm) — -72 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 68 W
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V — 100 milliohm (typical)
Gate Charge (Qg) — 23.3 nC (per Mouser listing)
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +175C (junction)
पैकेज — TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Pinout (G-D-S) — Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source
Technology — HEXFET (5th generation)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (PBF suffix)

डेटाशीट और संसाधन

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