M29F800FT55N3E2 vs M29F400FT55M3E2 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29F800FT55N3E2 নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29F400FT55M3E2 নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FT55N3E2 ✓ সক্রিয়Micron Technology
M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron
M29F400FT55M3E2 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | M29F800FT55N3E2 | M29F400FT55M3E2 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | NOR Flash | NOR Flash |
| Memory Organization | 512K x 16 (8 Mbit) | — |
| Density | 8389 kbits | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 5 V | 5 V |
| ইন্টারফেস | Parallel | Parallel |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40C to +125C | -40 C to +125 C |
| প্যাকেজ | 48-TSOP I | 44-SO (SOP-44) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Word/Byte Configuration | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) | — |
| Hardware Reset / Power-Down | RP# pin | — |
| Embedded Program/Erase Controller | Yes (byte/word program, block erase) | — |
| Program/Erase Endurance | 100,000 cycles per block (typical for family) | — |
| Data Retention | >20 years (typical for family) | — |
| Ready/Busy Output | Yes | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) | Compliant |
| মেমরি সাইজ | — | 4 Mbit (4194 kbits) |
| সংগঠন | — | 512K x 8 / 256K x 16 |
| Number of Words | — | 256 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Programming | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Erase | — | Embedded program/erase controller, block erase |
| Boot Block | — | Top boot block |
| Packaging | — | Tray |