M29F800FT55N3E2 vs M29F400FT55M3E2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F800FT55N3E2 tarafından Micron Technology ve M29F400FT55M3E2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F400FT55M3E2 M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F400FT55M3E2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F800FT55N3E2 M29F400FT55M3E2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash NOR Flash
Memory Organization 512K x 16 (8 Mbit) —
Density 8389 kbits —
Access Time 55 ns 55 ns
Besleme Gerilimi 5 V 5 V
Arayüz Parallel Parallel
Boot Block Architecture Top Boot Block —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40 C to +125 C
Paket 48-TSOP I 44-SO (SOP-44)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Word/Byte Configuration BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) —
Hardware Reset / Power-Down RP# pin —
Embedded Program/Erase Controller Yes (byte/word program, block erase) —
Program/Erase Endurance 100,000 cycles per block (typical for family) —
Data Retention >20 years (typical for family) —
Ready/Busy Output Yes —
RoHS Durumu Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) Compliant
Bellek Boyutu — 4 Mbit (4194 kbits)
Organizasyon — 512K x 8 / 256K x 16
Number of Words — 256 k
Bits per Word — 16 bits
Programming — Embedded byte/word program algorithms
Erase — Embedded program/erase controller, block erase
Boot Block — Top boot block
Packaging — Tray

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin