M29F800FT55N3E2 vs M29F400FT55M3E2 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار M29F800FT55N3E2 توسط Micron Technology و M29F400FT55M3E2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron
M29F400FT55M3E2 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | M29F800FT55N3E2 | M29F400FT55M3E2 |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | NOR Flash | NOR Flash |
| Memory Organization | 512K x 16 (8 Mbit) | — |
| Density | 8389 kbits | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| ولتاژ تغذیه | 5 V | 5 V |
| رابط | Parallel | Parallel |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| دمای کاری | -40C to +125C | -40 C to +125 C |
| بسته‌بندی | 48-TSOP I | 44-SO (SOP-44) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Word/Byte Configuration | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) | — |
| Hardware Reset / Power-Down | RP# pin | — |
| Embedded Program/Erase Controller | Yes (byte/word program, block erase) | — |
| Program/Erase Endurance | 100,000 cycles per block (typical for family) | — |
| Data Retention | >20 years (typical for family) | — |
| Ready/Busy Output | Yes | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) | Compliant |
| اندازه حافظه | — | 4 Mbit (4194 kbits) |
| سازمان | — | 512K x 8 / 256K x 16 |
| Number of Words | — | 256 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Programming | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Erase | — | Embedded program/erase controller, block erase |
| Boot Block | — | Top boot block |
| Packaging | — | Tray |