M29F800FT55N3E2 vs M29F400FT55M3E2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F800FT55N3E2 द्वारा Micron Technology और M29F400FT55M3E2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FT55N3E2 ✓ सक्रियMicron Technology
M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron
M29F400FT55M3E2 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29F800FT55N3E2 | M29F400FT55M3E2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | NOR Flash | NOR Flash |
| Memory Organization | 512K x 16 (8 Mbit) | — |
| Density | 8389 kbits | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| सप्लाई वोल्टेज | 5 V | 5 V |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C | -40 C to +125 C |
| पैकेज | 48-TSOP I | 44-SO (SOP-44) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Word/Byte Configuration | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) | — |
| Hardware Reset / Power-Down | RP# pin | — |
| Embedded Program/Erase Controller | Yes (byte/word program, block erase) | — |
| Program/Erase Endurance | 100,000 cycles per block (typical for family) | — |
| Data Retention | >20 years (typical for family) | — |
| Ready/Busy Output | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) | Compliant |
| मेमोरी आकार | — | 4 Mbit (4194 kbits) |
| संगठन | — | 512K x 8 / 256K x 16 |
| Number of Words | — | 256 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Programming | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Erase | — | Embedded program/erase controller, block erase |
| Boot Block | — | Top boot block |
| Packaging | — | Tray |