M29F800FT55N3E2 vs M29F400FT55M3E2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29F800FT55N3E2 بذریعہ Micron Technology اور M29F400FT55M3E2 بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F400FT55M3E2 M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F400FT55M3E2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M29F800FT55N3E2 M29F400FT55M3E2
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ NOR Flash NOR Flash
Memory Organization 512K x 16 (8 Mbit) —
Density 8389 kbits —
Access Time 55 ns 55 ns
سپلائی وولٹیج 5 V 5 V
انٹرفیس Parallel Parallel
Boot Block Architecture Top Boot Block —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +125C -40 C to +125 C
پیکیج 48-TSOP I 44-SO (SOP-44)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Word/Byte Configuration BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) —
Hardware Reset / Power-Down RP# pin —
Embedded Program/Erase Controller Yes (byte/word program, block erase) —
Program/Erase Endurance 100,000 cycles per block (typical for family) —
Data Retention >20 years (typical for family) —
Ready/Busy Output Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) Compliant
میموری سائز — 4 Mbit (4194 kbits)
تنظیم — 512K x 8 / 256K x 16
Number of Words — 256 k
Bits per Word — 16 bits
Programming — Embedded byte/word program algorithms
Erase — Embedded program/erase controller, block erase
Boot Block — Top boot block
Packaging — Tray

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں