2ED2106S06FXUMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2ED2106S06FXUMA1 द्वारा Infineon और 2ED2108S06FXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 2ED2106S06FXUMA1 | 2ED2108S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Offset Voltage (Voffset max) | 650 V | — |
| Configuration | High-Side and Low-Side (Half-Bridge) | — |
| Source Current (typ.) | 0.29 A | — |
| Sink Current (typ.) | 0.7 A | — |
| Input Logic Compatibility | CMOS, TTL | — |
| Propagation Delay (typ.) | 100 ns | [DATA_NEEDED: propagation delay ns] |
| आउटपुट की संख्या | 2 (1 high-side, 1 low-side) | 2 (high-side + low-side) |
| Number of Drivers | 2 | 1 |
| पिन की संख्या | 8 | — |
| पैकेज | PG-DSO-8-69 (DSO-8) | PG-DSO-8-53 (DSO-8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40C to +125C | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| आउटपुट प्रकार | Half-Bridge, Non-Inverting | — |
| Driver Configuration | — | Half-Bridge |
| Gate Type | — | N-Channel MOSFET, IGBT |
| Logic Input | — | Non-Inverting |
| Input Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| High-Side Bootstrap Voltage Rating | — | 650 V |
| Peak Source Current (typ.) | — | 0.29 A |
| Peak Sink Current (typ.) | — | 0.7 A |
| Integrated Bootstrap Diode | — | Yes |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | — | Yes (VCC and VB) |
| Rise / Fall Time (typ.) | — | [DATA_NEEDED: tr/tf ns] |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40 C to +125 C |
| MSL स्तर | — | 1 |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |