2ED2106S06FXUMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2ED2106S06FXUMA1 tarafından Infineon ve 2ED2108S06FXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2ED2106S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Çıkış Sayısı 2 (1 high-side, 1 low-side) 2 (high-side + low-side)
Number of Drivers 2 1
Pin Sayısı 8 —
Paket PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Çıkış Türü Half-Bridge, Non-Inverting —
Driver Configuration — Half-Bridge
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB)
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]
İşletim Sıcaklığı — -40 C to +125 C
MSL Seviyesi — 1
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin