2ED2106S06FXUMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 2ED2106S06FXUMA1 بذریعہ Infineon اور 2ED2108S06FXUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 2ED2106S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
آؤٹ پٹس کی تعداد 2 (1 high-side, 1 low-side) 2 (high-side + low-side)
Number of Drivers 2 1
پنز کی تعداد 8 —
پیکیج PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
آؤٹ پٹ کی قسم Half-Bridge, Non-Inverting —
Driver Configuration — Half-Bridge
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB)
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40 C to +125 C
MSL لیول — 1
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں