2ED2106S06FXUMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của 2ED2106S06FXUMA1 bằng Infineon và 2ED2108S06FXUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
2ED2108S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2108S06FXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2108S06FXUMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số 2ED2106S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Offset Voltage (Voffset max) 650 V —
Configuration High-Side and Low-Side (Half-Bridge) —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility CMOS, TTL —
Propagation Delay (typ.) 100 ns [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Số lượng đầu ra 2 (1 high-side, 1 low-side) 2 (high-side + low-side)
Number of Drivers 2 1
Số lượng chân 8 —
Hộp PG-DSO-8-69 (DSO-8) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Bootstrap Diode Integrated —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -40C to +125C —
Packaging Tape & Reel —
Kiểu đầu ra Half-Bridge, Non-Inverting —
Driver Configuration — Half-Bridge
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB)
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]
Nhiệt độ hoạt động — -40 C to +125 C
Cấp MSL — 1
Trạng thái RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá