IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPN95R1K2P7ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPN95R3K7P7ATMA1 द्वारा Infineon और IPN95R1K2P7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPN95R3K7P7ATMA1 - 950V CoolMOS P7 N-MOSFET 2A SOT-223 | Infineon
IPN95R3K7P7ATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPN95R3K7P7ATMA1 | IPN95R1K2P7ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 950 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 2.0 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 6 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 3700 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Technology | Super-junction (CoolMOS P7) | CoolMOS P7 (Super Junction) |
| पैकेज | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) | SOT-223-3 (PG-SOT223) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +150 C | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 950 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 6 A |
| Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V | — | 1200 mOhm (1.2 Ohm) |
| Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) | — | 10 V |
| Power Dissipation (T_C) | — | 7 W |
| पिन काउंट | — | 3 (2 + Tab) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C |
| Packaging | — | Tape & Reel |
| Part Status | — | Active |