IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPN95R1K2P7ATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IPN95R3K7P7ATMA1 disebabkan oleh Infineon dan IPN95R1K2P7ATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IPN95R3K7P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 CoolMOS P7
Jenis Transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) CoolMOS P7 (Super Junction)
Kemasan PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) SOT-223-3 (PG-SOT223)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Suhu Hubungan Operasi -55 C to +150 C —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Aras MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 950 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 6 A
Maximum On-Resistance R_DS(on) at V_GS=10V — 1200 mOhm (1.2 Ohm)
Gate Drive Voltage (max R_DS(on)) — 10 V
Power Dissipation (T_C) — 7 W
Kiraan Pin — 3 (2 + Tab)
Gambaran Suhu Operasi — -55C to +150C
Packaging — Tape & Reel
Part Status — Active

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga